烧结温度对掺杂氧化铈电导率

烧结温度对掺杂氧化铈电导率的影响是复杂的，取决于多个因素，如掺杂浓度、晶粒尺寸、烧结时间等。 一般来说，随着烧结温度的升高，掺杂氧化铈的电导率会先增加后减小。这是因为在低温下，烧结过程中晶粒生长速度较慢，掺杂离子难以扩散到晶界处形成导电通道，导致电导率较低。而当烧结温度逐渐升高时，晶粒尺寸增大，晶界面积减小，掺杂离子扩散速度加快，导电通道形成，电导率逐渐增加。但当烧结温度过高时，晶粒尺寸过大，晶界面积过小，导致晶界处的缺陷和杂质增多，反而会降低电导率。 此外，掺杂浓度也会影响烧结温度对电导率的影响。当掺杂浓度较低时，需要较高的烧结温度才能形成足够的导电通道，而当掺杂浓度较高时，即使在较低的烧结温度下也能形成足够的导电通道。 因此，要获得最佳的电导率，需要根据具体情况选择合适的掺杂浓度和烧结温度。